〔自由時報記者湯佳玲／台北報導〕清華大學材料系助理教授闕郁倫的研究團隊找出「圖章轉印」的方法，將化合物的磊晶結構轉移到矽基基板上，兩者結合後，將能以「光」的速度傳輸，效率比矽基半導體的電子電路傳輸快約一百倍，研究成果登十一月的國際知名「自然」期刊。

闕郁倫表示，此研究是光電元件和電子元件首度結合，也意味著下一個世代光電製程可能將取代電子電路製程，光的傳輸速度不僅比電子傳輸速度快上一百倍，也不會有發熱問題；未來光電3C產品，傳輸速度、儲存容量和產品穩定性都會更高。

台積電宣佈四十奈米製程已正式量產，目前正積極朝向三十二奈米量產開發，甚至進入二十二奈米技術開發，但半導體製程卻已幾乎面臨製程微縮的極限。

清大材料系助理教授闕郁倫團隊與美國加州大學柏克萊大學、美國新墨西哥大學合作，從新穎材料著手，成功地把砷化銦等三五化合物半導體和矽基半導體結合，用極簡易的「圖章轉印法」，就能達到二十二奈米的效能。

所謂「圖章轉印法」，是闕郁倫研究團隊成員「在上廁所途中，靈機一動想出來的。」他們利用磊晶層轉移技術，以光阻劑當作阻擋層，藉由黃光微影技術蝕刻出化合物半導體奈米帶，再將底部基材去除，接著利用簡單的接觸壓印，就可將化合物半導體材料奈米帶移轉到矽基基板上，實現所謂的化合物半導體材料絕緣層披覆技術。

清大校長陳力俊稱許，闕郁倫畢業於清大材料系碩士班、博士班、是土生土長的清大土博士，也開創清大材料系近二十年來首度聘用自己系上博士擔任老師的先例。

闕郁倫也是國科會千里馬計畫培育的人才，他認為能和國外團隊一起創意發想、一起做實驗，對他的研究很有啟發。